半导体行业正面临着提高计算能力、减小芯片尺寸和降低功耗的三重挑战。为了满足这些需求，科学家们必须超越传统硅材料，寻找适合不断增长的计算需求的材料。

尽管在不久的将来，我们不太可能完全放弃硅，但技术领域需要在芯片材料和架构上进行创新，以生产适合日益增长的计算需求的设备。

硅的一个主要限制是其三维性质，它限制了芯片的尺寸和功耗。为了突破这个限制，科学家们一直在寻找二维半导体，即非常薄的材料，可以提供更精确的电流控制并减少能源消耗。

然而，直到最近，制造这些材料都遇到了困难。某些二维半导体需要极高的温度才能制备，这可能会损坏底层的硅芯片。其他二维材料可能可以在硅友好的温度下制备，但它们的电子性能不足。还有一些符合温度和性能的要求，但无法在工业标准尺寸下生长到足够的纯度。

现在，宾夕法尼亚大学的研究人员已经成功地将高性能的二维半导体发展成工业尺度的晶圆。而且，这种半导体材料硒化铟（InSe）可以在足够低的温度下与硅芯片集成。

这项研究是由电气与系统工程系（ESE）副教授兼Peter and Susanne Armstrong杰出学者Deep Jariwala和ESE博士后Seunguk Song领导的，该研究最近发表在《Matter》杂志上。

近日，安徽省重点工程职工（农民工）测量工职业技能竞赛在中铁上海工程局巢马铁路5标项目成功举办。本次技能竞赛为期两天，共有来自安徽省重点工程的6家单位10支参赛队伍共50余名选手和领队角逐赛场，同台竞技。

导师制是高等教育的一项基本培养制度。在教育学领域，围绕导师制的相关研究历来都有不少。检索论文数据库，还能发现“换导师为何不易”“研究生师生冲突研究”“导师与研究生交往异化”等研究成果。可以说，无论是在公众观感上，还是在教育研究者的视野里，当前实施的导师制确有优化空间。

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这一突破的关键在于如何克服InSe原子结构的复杂性。长期以来，InSe被认为是先进计算芯片的有希望的材料，因为它能够很好地传导电荷。但生产足够大面积的InSe薄膜一直是一项挑战，因为铟和硒的化学性质使它们倾向于以不同的分子比例结合，从而损害其纯度。

研究团队使用了一种称为“垂直金属有机化学气相沉积”（MOCVD）的生长技术，以实现高纯度的InSe。与以前的方法不同，该技术通过连续发送铟并脉冲引入硒，以确保元素比例保持在精确的50:50。这种方法有效地避免了不良化学结构的形成。

除了高纯度，该团队还能够控制和对齐材料中晶体的方向，从而提高半导体的质量。

这一突破将有望推动半导体行业迈向新的高度，为未来的计算设备带来更多可能性。